英飞凌igbt相关介绍

日期：2024-04-19 20:49

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摘要：英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球**的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和**性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和 **性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和**应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、**质量和**性著称，...

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球**的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。
总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和**性提供半导体和系统解决方案。
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和 **性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和**应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、**质量和**性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握**技术。英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2018财年（截止 2018年9 月 30 日），公司在全球市场的总营收为75.99亿欧元。
英飞凌单管IGBT主要包括两种类型：不带反并联二极管的IGBT和带反并联二极管的IGBT。广泛应用于通用变频器、太阳能逆变器、不间断电源、感应加热应用、大家电、焊接设备以及开关电源等领域。单管IGBT电流密度高且功耗低，能够提高能效、降低散热需求，从而有效降低整体系统成本。

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