英飞凌模块的发展

日期：2025-04-30 20:05

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摘要：英飞凌模块碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比，它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。SiC器件有可能在对效率、功率密度参数敏感的应用的领域得到率先应用。业界一致认为电动车充电桩与光伏发电是两个比较典型的急需从传统的Si器件升级到SiC器件的应用。英飞凌一直在不断开发碳化硅前沿的技术，产品以及解决方案，致力于满足用户对节能，提升效率、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。新的CoolSiC模块使用英飞凌的碳化硅沟槽MOSFET结构，能获得更高的芯片密度，英飞凌新...

英飞凌模块碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比，它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。SiC器件有可能在对效率、功率密度参数敏感的应用的领域得到率先应用。业界一致认为电动车充电桩与光伏发电是两个比较典型的急需从传统的Si器件升级到SiC器件的应用。英飞凌一直在不断开发碳化硅前沿的技术，产品以及解决方案，致力于满足用户对节能，提升效率、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。

新的CoolSiC模块使用英飞凌的碳化硅沟槽MOSFET结构，能获得更高的芯片密度，英飞凌新兴技术主管MarkMünzer表示：“随着SiC器件价格的大幅下降，SiC解决方案的商业化将加速，从而使SiC技术被广泛应用于提升电动车的续航里程。”

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