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igbt功率模块发展前景如何
日期:2024-05-19 21:07
浏览次数:547
摘要:
现阶段igbt模块原材料是硅半导体,已使用二十余载,,抗压为6500伏,电流为3600安,不能完成很大突破。因此,行业内公认igbt模块技术现阶段已接近封顶。
但,对半导体行业,需求并不是根本,技术升级才能是掌握投资机会的主轴,一旦技术出现迭代,需求将不会出现线性增长的状态。现阶段,igbt模块在新能源车行业,就遭受了这个挑战。业内人士广泛认为,硅基igbt模块逼近原材料特性,技术升级势在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半导体在一定行业和行业,包含电动汽车,会完成对硅半导体的很大更换。
SiC和G...
现阶段igbt模块原材料是硅半导体,已使用二十余载,,抗压为6500伏,电流为3600安,不能完成很大突破。因此,行业内公认igbt模块技术现阶段已接近封顶。
但,对半导体行业,需求并不是根本,技术升级才能是掌握投资机会的主轴,一旦技术出现迭代,需求将不会出现线性增长的状态。现阶段,igbt模块在新能源车行业,就遭受了这个挑战。业内人士广泛认为,硅基igbt模块逼近原材料特性,技术升级势在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半导体在一定行业和行业,包含电动汽车,会完成对硅半导体的很大更换。
SiC和GaN是第3代半导体材质,与半导体材质相比较,第3代半导体材质具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适用于制做高温、高频、抗辐射及大功率器件,一般又被称作宽禁带半导体材质。
但,限制SiC用处的因素是成本费太高,产品参数也并不稳定。目前SiC芯片成本费是igbt模块的4-5倍,但业界预计SiC成本费三年内能够 降低到2倍左右。所以,业内也有声音觉得,未来随之第3代半导体的成本费快速降低,igbt模块就可能会进一步被3代半导体取代。
实际上,目前已经有厂家開始这么做了。2018年,特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块代替了igbt模块,比照硅基的igbt模块续航能够 提升 5~10%,这也被觉得是第3代半导体首先開始取代igbt模块的苗头。
国金证券研报讲解,未来igbt模块将向更低的开关损耗、更高的电流密度和更高的工作温度发展,随之数万伏高压、高过500℃的高温、高频、大功率等要求的提出,硅基igbt模块的性能已经接近材质性能極限,所以碳化硅(SiC)基igbt模块将站上历史舞台。
短期来讲,受限于成本费问题,未来3-5年igbt模块重要的应用。但未来随之SiC成本费的降低,稳定性逐步提升 ,达到高量产,那个时候,igbt模块的未来是不是会岌岌可危?